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特徴

  • NチャンネルMDmesh DM2シリーズ、STMicroelectronics
  • MDmesh DM2 MOSFETは、RDS(on)が低く、ダイオード逆回復時間が短くなったため効率が高くなっています。このシリーズは、フルブリッジ位相シフトZVSトポロジに合わせて最適化されています。
  • 優れたdV/dt機能でシステムの信頼性を向上 AEC-Q101認定

仕様

  • 入数:1個
  • チャンネルタイプ:N
  • 最大連続ドレイン電流:40 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:600 V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:79 mΩ
  • 最大ゲートしきい値電圧:5V
  • 最低ゲートしきい値電圧:3V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-25 V, +25 V
  • パッケージタイプ:TO-247
  • 実装タイプ:スルーホール
  • トランジスタ構成:シングル
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:300 W
  • 長さ:15.75mm
  • RoHS適合状況:適合
  • コード番号:111-6484

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